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產(chǎn)品資料
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日本napson緊湊手動非接觸式電阻測量儀

產(chǎn)品名稱: 日本napson緊湊手動非接觸式電阻測量儀
產(chǎn)品型號: EC-80
產(chǎn)品特點: 日本napson緊湊手動非接觸式電阻測量儀
產(chǎn)品特點
一種簡單的測量儀器,只需在探針之間插入樣品即可進行測量
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤輕松設置測量條件
*由于探頭是固定的,因此您可以在購買前從幾種探頭中選擇一種。

日本napson緊湊手動非接觸式電阻測量儀 的詳細介紹

日本napson緊湊手動非接觸式電阻測量儀

 

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)

 

測量尺寸

?8英寸,或?156x156mm

 

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

*有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

測量規(guī)格

測量目標

半導體/太陽能電池材料相關(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導電薄膜相關(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導體相關的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請與我們聯(lián)系)

 

測量尺寸

?8英寸,或?156x156mm

 

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

*有關每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

日本napson緊湊手動非接觸式電阻測量儀

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聯(lián)系人:林經(jīng)理
地址:深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002
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