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產(chǎn)品資料
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日本thermocera臺(tái)式石墨烯/ CNT合成器

產(chǎn)品名稱(chēng): 日本thermocera臺(tái)式石墨烯/ CNT合成器
產(chǎn)品型號(hào):
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本thermocera臺(tái)式石墨烯/ CNT合成器
?型號(hào)NanoCVD-8G(用于石墨烯合成)
?型號(hào)NanoCVD-8N(用于碳納米管)
無(wú)需使用大型制造設(shè)備,每批只需30分鐘即可輕松實(shí)現(xiàn)石墨烯/ CNT合成。
CVD方法(化學(xué)氣相沉積)
CVD法是已經(jīng)為多種目的而建立的穩(wěn)定技術(shù),并且當(dāng)考慮將來(lái)石墨烯和CNT的大規(guī)模合成時(shí)是現(xiàn)實(shí)的方法。

日本thermocera臺(tái)式石墨烯/ CNT合成器 的詳細(xì)介紹

日本thermocera臺(tái)式石墨烯/ CNT合成器

 

特性

  • 無(wú)需使用大型制造設(shè)備即可輕松進(jìn)行石墨烯/ CNT(SWNT)成膜實(shí)驗(yàn)。
  • 每批僅30分鐘!
  • 冷壁型高效,高精度的過(guò)程控制
  • 快速升溫:RT→1100℃/約3分鐘
  • 具有高精度溫度流量控制和出色重現(xiàn)性的高性能機(jī)器
  • 操作簡(jiǎn)便!5英寸觸摸屏可進(jìn)行操作和配方管理
  • 多可以創(chuàng)建和保存30個(gè)配方,30個(gè)合成程序步驟
  • 軟件為標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備,輸出為CSV文件在PC上記錄數(shù)據(jù)
  • USB電纜連接,在PC端創(chuàng)建配方→可以上傳到設(shè)備
 
   
   
 

外型尺寸

 
   
   
 

主要規(guī)格

A.主要規(guī)格 
1.反應(yīng)室 不銹鋼SUS304泄漏檢查
2.加熱階段 陶瓷制成
3.相應(yīng)的樣本量 20 x 40毫米
4.加熱加熱器 高純石墨加熱器Max1050℃
5.溫度控制 K型熱電偶標(biāo)準(zhǔn)附件(安裝在加熱臺(tái)下)
  
B.過(guò)程控制設(shè)備規(guī)格 
1.氣體控制 質(zhì)量流量控制器x 3(Ar,H2,CH4)
2.壓力控制 20托FS
3.真空排氣 包括愛(ài)德華茲旋轉(zhuǎn)泵RV3(3立方米/小時(shí))
4.操作面板 正面安裝5英寸觸摸屏(歐姆龍制造)
5.風(fēng)冷 用冷卻風(fēng)扇冷卻外殼內(nèi)部
6.控制系統(tǒng) PLC自動(dòng)過(guò)程控制
  
C.軟件(標(biāo)準(zhǔn)附件) 
1. nanoCVD軟件 標(biāo)配(已安裝石墨烯的標(biāo)準(zhǔn)程序)
2.界面 USB 2.0連接
3.設(shè)置數(shù) 多30個(gè)配方,30個(gè)程序創(chuàng)建和保存步驟
  
D.氣體導(dǎo)入連接規(guī)格 
1.工藝氣體 1/4英寸世偉洛克卡套管接口,用于Ar,H2,CH4 x 3
2.載氣 Φ6mm推鎖式管接頭,用于N2或Ar x 1
  
E.安全裝置 
1.過(guò)熱 由加熱臺(tái)安裝熱電偶控制
2.機(jī)殼內(nèi)部過(guò)熱 從內(nèi)部溫度開(kāi)關(guān)
3.氣壓異常 來(lái)自質(zhì)量流量控制器
4.真空度降低 來(lái)自真空傳感器
  
F.實(shí)用程序 
電源 AC200V單相50 / 60Hz 13A
1.工藝氣壓 30psi 200sccm以下
2.載氣壓力 60-80磅/平方英寸
  
G.尺寸/重量 
1.尺寸 405mm(寬)x 415mm(深)x 280mm(高)
2.重量 約27公斤
 
   

nanoCVD-8G(石墨烯)

納米CVD-8N(CNT)


帶旋轉(zhuǎn)泵的nanoCVD-8G

通過(guò)CVD化學(xué)氣相沉積法在短時(shí)間內(nèi)在金屬基底催化劑(Cu,Ni箔等)上合成單層石墨烯膜。nanoCVD-8G的基本操作方案是在石墨平臺(tái)上以醉高1100°C的高溫烘烤,并在減壓下供應(yīng)原料氣體(甲烷),氮?dú)夂蜌錃狻?br />
◇◆標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備配置◆◇

  • ●用于石墨烯生成,真空過(guò)程控制
  • 標(biāo)配旋轉(zhuǎn)泵(選件:TMP,擴(kuò)散泵或干泵)
  •  3個(gè)供氣系統(tǒng)(標(biāo)準(zhǔn))
  • 樣品臺(tái)大1100℃
  •  K型熱電偶


*以下選項(xiàng)也可滿(mǎn)足其他要求的實(shí)驗(yàn)?zāi)康模▎为?dú)討論)。

  • 增加氣體導(dǎo)入口(改變和增加氣體種類(lèi))
  • 增加干泵系統(tǒng)
  • 增加額外的腔室/加熱臺(tái)并改變臺(tái)結(jié)構(gòu)

 


使用nanoCVD-8G樣品加熱臺(tái)] [nanoCVD-8G后面板]生產(chǎn)的石墨烯的拉曼光譜


日本thermocera臺(tái)式石墨烯/ CNT合成器

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